We review our recent efforts on developing HgCdSe infrared materials on GaSb substrates via molecular beam epitaxy (MBE)......

介绍了一种新型的红外探测器材料硒镉汞（HgCdSe）的最新研究进展,以及其所使用的衬底材料ZnTe/Si（211）和GaSb（211）的最新研究情况.通过与......